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igbt(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,在各种电力变换中获得极广泛的应用,fmic已具备该工艺产品的研发能力。

1)    工艺特性

ø  非穿通技术

ø  阻断电压:6001700v

ø  驱动电流大

ø  饱和压降低

ø  开关速度快

2)    典型应用

ø  电磁炉

ø  电机驱动

ø  电焊机

ø  变频器

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