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深圳方正微电子有限公司-ag真人官方入口

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发布时间2014-06-15

 

6月上旬获悉,由方正集团和深圳方正微电子有限公司共同申报的发明专利《method for manufacturing double-layer polysilicon gate》于513在美国授权;这项专利的应用,可解决某研发项目长期以来遗留的一个重大技术难题,提高产品的附加值。方正微电子从2007年开始自主知识产权的布局工作,于20084月向国家专利局递交第一篇专利稿,20094月第一个实用新型专利在国内授权,20103月第一个发明专利在国内授权,201212月第一次向美国专利局递交专利申报稿。此次的美国专利授权,是方正微电子在海外授权的第一个专利,是方正微电子知识产权工作的又一个重要里程碑。半导体行业是全球范围内竞争的技术密集型产业,企业的竞争某种程度上是技术创新和知识产权的竞争,近年来,国内企业逐步重视海外专利的申请和保护。

 

                        

 

 

 

 

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