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发布时间2019-08-12

据《麻省理工科技评论(mit technology review)》报导,中国中芯国际在去年宣布14nm finfet制程研发成功后,今年将如期开始出货贡献营收,正式追上台积电南京12寸晶圆厂的16nm工艺,而《麻省理工科技评论》分析,中芯国际制程大跃进功臣,即是联合首席执行官梁孟松。


曾任台积电前研发处长的梁孟松,先前也曾转投三星,之后才辗转到中芯国际效力,而梁孟松到中芯国际短短不到10 个月的时间,就令中芯卡关3 年多的14 nm制程获得突破,甚至在今年开始贡献营收。


《麻省理工科技评论》指出,梁孟松主要为中芯国际带来了「孟松三箭」:


第一箭是首颗采用finfet 制程制造的14 nm芯片,创下中国首颗finfet 制程自产芯片之里程碑,中芯国际14 nm finfet 工艺将同时瞄准全球客户,不是只有国内的ic 设计客户,目前已经有超过10 个流片客户数量。


第二箭是12nm 工艺,主要是强化第一代finfet 技术,而也已经进入客户的导入阶段,预计年底将有几个客户进行流片。


第三支箭是第二代finfet 工艺,暂定n 1 技术世代,目前也密集与客户接触讨论此中商机,未来应用领域包括处理器、汽车电子、人工智能等。



台积电南京12 寸晶圆厂16 nm芯片量产时,是中国大陆地区最高阶的工艺技术,而当时中芯国际最高阶技术仅是28 nm。


而未来,台积电针对16 nm的微缩版本12 nm工艺,也将转移至南京厂,但日程未定;而中芯方面,已计划年底小量生产14 nm,再由12 nm接棒,计划追赶上台积电南京厂。


中芯国际在8 月8 日的董事会后也已宣布新的独立董事人选,原本该职位是由前台积电共同营运长蒋尚义担任,随着蒋尚义请辞赴武汉弘芯担任首席执行官,该职务空出,故中芯国际宣布,改由前台积电研发处长杨光磊出任。


对于中芯14 nm制程已获得突破,甚至今年开始贡献营收,市场多有议论是否中芯可能追赶上台积电技术,据业内人士透露,目前台积电领先中芯国际不只三代的制程,中芯量产14 nm工艺芯片对台积电来说,其实影响不大。

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